Моделирование диодной структуры в среде TCAD : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

Моделирование диодной структуры в среде TCAD : научное издание

Перевод названия: Simulating diode structure in TCAD environment

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Ключевые слова: электронная аппаратура, проектирование полупроводниковых приборов, приборно-технологическое моделирование, Electronic hardware, designing semi-conductive devices, device-process simulating

Аннотация: Проиллюстрированы возможности инструментов приборно-технологического моделирования TCAD на реальном примере. Использование моделирования позволяет ускорить разработку, оптимизировать технологический процесс без производства тестовых партий устройств, улучшить параметры получаемых приборов и, как результат, снизить стоимость конечного продукта Illustrated are the possibilities of device-process simulating tools TCAD by the real example. Use of simulation allows to expedite designing, optimise technological process without necessity to manufacture pilot series of the devices, to improve parameters of manufactured devices and, as a result - to reduce costs of final product.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Конструкторское бюро

Выпуск журнала: 8

Номера страниц: 18-21

Место издания: Москва

Издатель: Общество с ограниченной ответственностью Издательский дом Панорама

Персоны

  • Окунев А.Ю. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники)
  • Левицкий А.А. (Институт инженерной физики и радиоэлектроники)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.