Тип публикации: патент
Год издания: 2017
Аннотация: p num="16"Полезная модель относится к области преобразователей энергии радиационных излучений в электрическую энергию и может быть использована в электронике и приборостроении. Планарный преобразователь состоит из слаболегированной полупроводниковой пластины n-(p-) типа проводимости, на верхней и нижней поверхностях которой размещены сильнолегированные верхняя и нижняя горизонтальные p+(n+) области соответственно, образующие с пластиной p-n-переходы p-i-n-диода. На верхней и нижней поверхностях горизонтальных p+(n+) областей расположены соответственно верхний и нижний слои радиоактивного изотопа металла. На поверхности верхнего слоя радиоактивного изотопа металла и верхней поверхности горизонтальной области p+(n+) типа расположен слой диэлектрика с отверстием над поверхностью контактной n+(p+) области. На поверхности диэлектрика расположен слой второго металла, образующий омический контакт к n+(p+) контактной области, при этом нижний слой радиоактивного изотопа металла образует электрод анода (катода) диода, а второй металл - электрод катода (анода) диода, причем диэлектрик и второй металл образуют накопительный конденсатор. Техническим результатом является создание планарного преобразователя радиационных излучений с двукратным увеличением мощности по сравнению с традиционным p-i-n-диодом и расширение области его применения. 2 ил.img src="/get_item_image.asp?id=38292783&img=00000001.jpg" class="img_big"/p
Персоны
- Богданов Сергей Викторович
- Зеленков Павел Викторович
- Ковалев Игорь Владимирович
- Краснов Андрей Андреевич
- Кузьмина Ксения Андреевна
- Леготин Сергей Александрович
- Лелеков Александр Тимофеевич
- Лелеков Евгений Тимофеевич
- Мурашев Виктор Николаевич
- Омельченко Юлия Константиновна
- Сидоров Виктор Геннадьевич
- Старков Виталий Васильевич
- Хорошко Александр Юрьевич
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.