Сибирский федеральный университет

Перевод названия: A CRUCIBLE FOR GROWING OXIDE MONOCRYSTALS

Тип публикации: патент

Год издания: 1997

Аннотация: p num="13"Изобретение относится к выращиванию монокристаллов методом Чохральского. Тигель выполнен в форме прямого усеченного конуса. При этом отношение разницы диаметров оснований тигля к его высоте равно 0,1 - 0,2. Такое соотношение обеспечивает наклон стенок тигля под углом 6 - 12o. Получены кристаллы Bi12GeO20, Bi12SiO20 и Bi4Ge3O12 диаметром более 60 мм, у которых отсутствовали включения второй фазы на 2/3 длины слитка. 1 ил.img src="/get_item_image.asp?id=38053815&img=00000001.TIF" class="img_big"/p p num="14"FIELD: growing crystals. SUBSTANCE: crucible is made in the form of truncated cone. Ratio of its difference of diameters to its height is 0.1- 0.2. Such ratio provides slope of crucible walls 6-12 deg. Obtained are crystals of Bi12GeO20, Bi12SiO20, and Bi4Ge3O12 with diameter greater than 60 mm and which manifested lack of second phase inclusion on 2/3 of length of ingot. EFFECT: improved equipment. 1 dwg/p

• Денисов В.М.
• Бузовкина Н.В.

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)