МИКРОПОЛОСКОВОЕ ЗАЩИТНОЕ УСТРОЙСТВО | Научно-инновационный портал СФУ

МИКРОПОЛОСКОВОЕ ЗАЩИТНОЕ УСТРОЙСТВО

Перевод названия: MICROSTRIP PROTECTOR

Тип публикации: патент

Год издания: 2008

Аннотация: p num="60"Изобретение предназначено для защиты радиоприемных устройств от воздействия электромагнитных колебаний большой мощности в СВЧ-диапазоне. Технический результат - увеличение предельной мощности СВЧ-колебаний, с которой может работать защитное устройство, благодаря улучшению отражения этих колебаний и уменьшению мощности, поглощаемой элементами устройства. Достигается тем, что устройство содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на другую - полосковые проводники двух резонаторов, связанных между собой электромагнитно. Особенностью устройства является то, что заземляемое основание и полосковые проводники резонаторов выполнены металлическими, а между проводниками резонаторов на поверхности подложки или над этими проводниками без гальванического контакта с ними расположена пленка из материала, обладающего высокотемпературной сверхпроводимостью. Резонаторы выполнены с возможностью взаимной компенсации электрической и магнитной связи между ними на центральной частоте рабочей полосы устройства при нормальном состоянии пленки. 2 з.п. ф-лы, 10 ил.img file="00000001.TIF" he="86" wi="145" img-format="tif" img-content="drawing" //p p num="61"FIELD: electricity./p p num="62"SUBSTANCE: protector contains dielectric substrate with ground base applied on one side and electro-magnetically interconnected strip conductors of two resonators applied on the other side. Feature of protector is that grounded base and strip conductors of resonators are made of metal. And between resonator conductors on substrate surface or above them without galvanic contact there is formed film made of material with high-temperature superconductivity. Resonators provide mutual compensation of electric and magnetic intercommunication at protector work band centre at normal condition of film./p p num="63"EFFECT: higher SHF oscillations limit voltage due to improved oscillation reflection and reduced power absorbed by protector elements./p p num="64"3 cl, 10 dwg/p

Ссылки на полный текст

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.