Сибирский федеральный университет

Перевод названия: MICROSTRIP DUAL-BAND BANDPASS FILTER

Тип публикации: патент

Год издания: 2015

Аннотация:

Изобретение относится к микрополосковому двухполосному полосно-пропускающему фильтру, предназначенному для частотной селекции сигналов на двух несущих частотах и используемому в технике сверхвысоких частот в селективных трактах приемных и передающих систем. Техническим результатом является более высокая технологичность за счет отсутствия емкости на крайних резонаторах. Для этого фильтр содержит диэлектрическую подложку (1), на одну сторону которой нанесено заземляемое основание (2), а на вторую сторону нанесены полосковые проводники, электромагнитно связанные между собой и расположенные в два параллельных друг другу ряда, причем проводники первого (3) и второго (5) рядов отличаются между собой длиной. Центральные проводники (4, 6) в каждом ряде отличаются длиной и шириной от проводников своего ряда, при этом длина отрезков крайних проводников (7), взаимодействующих с проводниками каждого ряда, различна. 3 ил. <img src="/get_item_image.asp?id=37437441&img=00000001.JPG" class="img_big">

FIELD: radio engineering, communication.

SUBSTANCE: invention relates to a microstrip dual-band bandpass filter designed for frequency selection of signals at two carrier frequencies and which is used in microwave engineering in selective circuits of receiving and transmitting systems. The filter comprises a dielectric substrate (1), on one side of which an earthed base (2) is deposited and on the other side strip conductors, which are electromagnetically coupled with each other and are arranged in two parallel rows, wherein conductors of the first (3) and second (5) row differ from each other by their length. The centre conductors (4, 6) in each row differ by length and width from conductors in the same row, wherein the length of the sections of the outermost conductors (7), which interact with conductors of each row, is different.

EFFECT: higher technological effectiveness owing to absence of capacitance at outermost resonators.

3 dwg

• Беляев Борис Афанасьевич
• Ходенков Сергей Александрович

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)