Сибирский федеральный университет

Перевод названия: METHOD OF OBTAINING IRON SILICIDE NANOCRYSTALS α-FeSi2 WITH A CHANGING PREFERRED ORIENTATION

Тип публикации: патент

Год издания: 2019

Аннотация: p num="42"Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр./p p num="43"FIELD: chemistry./p p num="44"SUBSTANCE: invention relates to the technology of producing nanometer-sized materials consisting of iron silicide nanocrystals α-FeSi2 with a controllably variable preferential crystallographic orientation, shape and habit, and can be used to develop new functional elements in spintronics and nanotechnology. Method for producing iron silicide nanocrystals α-FeSi2 with variable preferential orientation includes preliminary chemical preparation of the surface of the silicon substrate in aqueous solution of hydrofluoric acid and its purification by annealing at 840–900 °C, deposition of a gold layer on a silicon substrate by the orientation of Si (001) at room temperature by the method of thermal evaporation in ultrahigh vacuum, increase in substrate temperature to 840 °C and coprecipitation of iron and silicon with an atomic ratio of from 1:2 to 3:1./p p num="45"EFFECT: technical result of the invention is the controlled production of nanocrystals α-FeSi2 on the surface of silicon with different predominant crystallographic orientational ratios, variable cut and nanocrystal shape α-FeSi2 for the same orientation ratio./p p num="46"1 cl, 3 dwg, 1 tbl, 4 ex/p

• Тарасов Иван Анатольевич
• Яковлев Иван Александрович
• Высотин Максим Александрович
• Смолярова Татьяна Евгеньевна
• Варнаков Сергей Николаевич
• Овчинников Сергей Геннадьевич

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)