Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6 : монография | Научно-инновационный портал СФУ

Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6 : монография

Перевод названия: Structural Defect Formation in II-VI Semiconductors

Тип публикации: монография

Год издания: 2003

Ключевые слова: физика, дефекты, полупроводники

Аннотация: Рассматриваются вопросы дефектообразования в легированных и нелегированных примесями монокристаллах полупроводников А2В6 и кремния при термообработках и облучении ионами и электронами с под- и надпороговыми энергиями. Обсуждаются особенности формирования структурных дефектов в эпитаксиальных пленках и сверхструктурах полупроводников А2В6, выращенных методами металлорганической парофазовой и молекулярно-пучковой эпитаксии.?В основе книги лежат результаты исследований, выполненных авторами в Красноярском государственном университете (Россия), Кембриджском и Дарлемском университетах (Великобритания).?Для специалистов в области физики полупроводников. Может быть полезна аспирантам и студентам вузов, обучающимся по соответствующим специальностям и направлениям.

Ссылки на полный текст

Издание

Место издания: Москва

Издатель: Логос

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.