Сибирский федеральный университет

Перевод названия: Superthin solar cells based on A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>/ Ge heterostructures

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2017

Идентификатор DOI: 10.15372/AUT20170613

Ключевые слова: superthin solar cells on the basis of A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>/Ge, A<sup>III</sup>B<sup>V</sup> heterostructures, solar cells on the basis of A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>/GaInAs, сверхтонкие солнечные элементы на основе A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>/Ge, гетероструктуры A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>/Ge, солнечные элементы на основе A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>/GaInAs

Аннотация: Проведён сравнительный анализ перспектив создания супертонких, лёгких и высокоэффективных солнечных элементов на гетероструктурах A^IIIB^V/InGaAs и A^IIIB^V/Ge. Обсуждаются технологические проблемы и перспективы каждого варианта. Предложен метод утонения гетероструктур A^IIIB^V/Ge с помощью эффективного временного технологического носителя, который позволяет проводить процесс практически без риска разрушения гетероструктуры, утонять Ge-каскад до нескольких десятков (даже единиц) микрон и существенно увеличить процент выхода годных приборов, а также удобно и надёжно переносить утонённые солнечные элементы на произвольную лёгкую и гибкую подложку. Такая технология открывает возможность создания высокоэффективных тонких и лёгких солнечных элементов для космических аппаратов на массово производимых в настоящее время гетероструктурах A^IIIB^V/Ge. A comparative analysis of the prospects of creating superthin, light, and highly efficiency solar cells based on A^IIIB^V/InGaAs and A^IIIB^V/Ge heterostructures is performed. Technological problems and prospects of each variant are discussed. A method of thinning of A^IIIB^V/Ge heterostructures with the use of an effective temporal technological carrier is proposed. The method the process to be performed almost with no risk of heterostructure fracture, thinning of the Ge cascade down to several tens of micrometers (or even several micrometers), significant increase in the percentage of good devices being produced, and also convenient and reliable transfer of thinned solar cells to an arbitrary light and flexible substrate. Such a technology offers a possibility of creating high-efficiency thin and light solar cells for space vehicles on the basis of batch-produced A^IIIB^V/Ge heterostructures.

Журнал: Автометрия

Выпуск журнала: Т. 53, № 6

Номера страниц: 106-110

ISSN журнала: 03207102

Место издания: Новосибирск

Издатель: Сибирское отделение РАН, Институт автоматики и электрометрии СО РАН

• Паханов Николай Андреевич (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)
• Пчеляков Олег Петрович (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)
• Владимиров Валерий Михайлович (ООО «Научно-производственная фирма "Электрон''»)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)