Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Ключевые слова: эффект Ганна, полевой транзистор с затвором Шоттки (MESFET)
Аннотация: В работе показана возможность учета явления токовой неустойчивости (эффекта Ганна и отрицательной дифференциальной проводимости - ОДП) в простой нелинейной модели MESFET-транзистора с коротким затвором (1мкм) путем применения аппроксимации Тима для полескоростной характеристики носителей заряда в GaAs и при использовании «метода треугольников Гаусса» (АСМДУДН). Показана конструкция анализируемого MESFET-транзистора и результат моделирования его вольт-амперной характеристики.
Издание
Журнал: Южно-Сибирский научный вестник
Выпуск журнала: № 2
Номера страниц: 123-127
ISSN журнала: 23041943
Место издания: Бийск
Издатель: Общество с ограниченной ответственностью Малое инновационное предприятие Политех
Персоны
- Копылов Алексей Филиппович (Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ)
- Копылова Наталья Алексеевна (Муниципальное учреждение дополнительного образования детей)
- Алистрат Алексей Альбертович (Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ)
- Алистрат Александр Альбертович (Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ)
Вхождение в базы данных
- РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.