Перевод названия: TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF THE DEFECT FORMATION IN SILICON AND GERMANIUM CRYSTALS
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2010
Аннотация: Структурные дефекты могут вносить серьезные изменения в физико-химические свойства кремния и германия, влиять на работу электронных устройств. Методом электронной микроскопии исследованы закономерности образования структурных дефектов в кремнии и германии. Structural defects can make serious changes in the physical and chemical properties of silicon and germanium, affect the operation of electronic devices. The structural defect formation in silicon and germanium using transmission electron microscopy were studied.
Издание
Журнал: Решетневские чтения
Выпуск журнала: Т. 2, № 14
Номера страниц: 589-590
ISSN журнала: 19907702
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева
Персоны
- Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)
- Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.