ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ | Научно-инновационный портал СФУ

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ

Перевод названия: TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF THE DEFECT FORMATION IN SILICON AND GERMANIUM CRYSTALS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Аннотация: Структурные дефекты могут вносить серьезные изменения в физико-химические свойства кремния и германия, влиять на работу электронных устройств. Методом электронной микроскопии исследованы закономерности образования структурных дефектов в кремнии и германии. Structural defects can make serious changes in the physical and chemical properties of silicon and germanium, affect the operation of electronic devices. The structural defect formation in silicon and germanium using transmission electron microscopy were studied.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 2, 14

Номера страниц: 589-590

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)
  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.