ИОННО-ЛУЧЕВОЙ СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСХЕМ : доклад, тезисы доклада

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: НОВЫЕ РЕШЕНИЯ В ОБЛАСТИ УПРОЧНЯЮЩИХ ТЕХНОЛОГИЙ: ВЗГЛЯД МОЛОДЫХ СПЕЦИАЛИСТОВ; Курск; Курск

Год издания: 2016

Аннотация: Разработан ионно-лучевой способ изготовления электрически изолированных резисторов микросхем, заключающийся в изготовлении контактных площадок на эпитаксиальных структурах арсенида галлия, проведении внедрения ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 1,2-1,4 мкКл/см² для формирования областей изоляции, нанесении маски фоторезиста с последующим формированием окон в фоторезистивной маске для повторного внедрения ионов гелия с энергией 30-150 кэВ и дозой 6-12 мкКл/см².

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: НОВЫЕ РЕШЕНИЯ В ОБЛАСТИ УПРОЧНЯЮЩИХ ТЕХНОЛОГИЙ: ВЗГЛЯД МОЛОДЫХ СПЕЦИАЛИСТОВ

Выпуск журнала: 2

Номера страниц: 198-201

Издатель: Закрытое акционерное общество "Университетская книга"

Персоны

Перинская Есения Дмитриевна (Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А)
Перинская Ирина Владимировна (Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А)
Родионов Игорь Владимирович (Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А)
Михаилова С.В.

Вхождение в базы данных

РИНЦ (eLIBRARY.RU)

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.