Перевод названия: DEVELOPMENT OF SEMICONDUCTOR SPACE NANOTECHNOLOGIES TO OBTAIN HIGH EFFICIENCY SOLAR BATTERIES
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Аннотация: Создание высокоэффективных приборов микро-, нано- и фотоэлектроники на основе полупроводниковых наногетероструктур, состоящих из соединений III-V, выращенных на дешевых и прочных Si-подложках, является одной из приоритетных задач современного полупроводникового материаловедения. Решение этой проблемы крайне важно и для развития высокоэффективной фотовольтаики. Creation of high efficiency devices of micro-, nano- and photoelectronics based on semiconductor heteronanostructures consisting of III-V compounds, grown on cheap and permanent Si underlayers, is one of key assignments of modern semiconductor material engineering. The problem solution is dramatically important to develop high efficiency PV.
Издание
Журнал: Решетневские чтения
Выпуск журнала: Т. 1
Номера страниц: 412-414
ISSN журнала: 19907702
Место издания: Красноярск
Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"
Персоны
- Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
- Гутаковский А.К. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
- Латышев А.В. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
- Владимиров В.М. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
- Паханов Н.А. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
- Преображенский В.В. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
- Путято М.А. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
- Семягин Б.Р. (Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук)
- Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.