Расчет влияния условий роста на коэффициент распределения примесных атомов между расплавом и растущим кристаллом | Научно-инновационный портал СФУ

Расчет влияния условий роста на коэффициент распределения примесных атомов между расплавом и растущим кристаллом

Перевод названия: Calculation of Influence of Growth Conditions on Distribution Coefficient of Impurity Atoms Between Melt and a Growing Crystal

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2009

Ключевые слова: impurity atoms, melt, crystal, grows conditions, примесные атомы, расплав, кристалл, условия роста

Аннотация: Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0?х?l системы расплав-растущий кристалл представлены в виде выражения , в котором а и b определены через скорости переноса ПА (конвективную - ?с, дрейфовую - ?d и термодиффузионную - ??) соответственно в расплаве - (аl, bl), в кристалле - (аs, bs), а также на границе раздела фаз - (аsl, bsl). Из условия квазистационарности процесса роста найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков u D и определен общий коэффициент распределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка l s C K = C. Полученное выражение для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка - ?с, градиента температур (через ??) и силовых полей (через ?d)) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле. Streams of impurity atoms on each of sites 0?х?l of border between melt and a growing crystal are submitted as expression in which a and b are determined through convective ?с, drift ?d and thermal-diffusion ?? speeds of carry of impurity atoms accordingly in a melt (аl, bl), in a crystal (аs, bs), and also on border of the unit of phases (аsl, bsl). From a condition of quasistationary process of growth the distribution coefficient of impurity atoms concentration on each of sites are found and the general distribution coefficient of impurity atoms between melt volume and a cooled part of a growing ingot K = C is determined. The received expression for K allows to analyze influence of modes of growth (speed of a crystal grows ?с, a gradient of temperatures (through ??) and force fields (through ?d)) on carry and accumulation of impurity atoms in a growing crystal.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии

Выпуск журнала: Т. 2, 3

Номера страниц: 227-237

ISSN журнала: 1999494X

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Сибирский федеральный университет

Персоны

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.