ЗАКОНОМЕРНОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ОБЛУЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ | Научно-инновационный портал СФУ

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ОБЛУЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Перевод названия: The structural defects FORMATION in irradiated semiconductors

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Аннотация: Методом просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии исследованы закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах, облученных электронами с подпороговой (100 кэВ) и надпороговой (400 кэВ) энергиями. The regularities of structural defects formation in 100 keV and 400 keV electron beam irradiated semiconductors and semiconductor heterostructures is studied by transmission and high-resolution electron microscopy.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 15

Номера страниц: 398-399

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.