Сибирский федеральный университет

Перевод названия: Influence of Crystal Structure on the Electrical Conductivity of Semiconducting Germanium

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Ключевые слова: semiconductors, germanium, electrical conductivity, Electronic surface states, полупроводники, германий, электропроводность, поверхностные электронные состояния

Аннотация: Установлен характер взаимосвязи электропроводности и строения поликристаллических образцов германия полупроводникового оптического качества (ГПО) и особо чистого германия (ОЧГ). Удельная электрическая проводимость ГПО снижается при уменьшении размера кристаллитов, что связано с уменьшением подвижности носителей заряда, вызванным их рассеянием на границах кристаллитов. Противоположная тенденция выявлена при исследовании ОЧГ, его электропроводность возрастает с уменьшением размера кристаллитов вследствие увеличения концентрации поверхностных электронных состояний. The correlation of the electrical conductivity and structure of polycrystalline semiconductor optical germanium (SOGe) and high-pure germanium (HPGe) is established. The conductivity of SOGe is reduced with decrease of grain size, that is connected to decrease of carrier mobility, as result of dispersion on crystallites boundaries. The conductivity of HPGe is increased with reduced grain size, following increased electronic surface states concentration.

Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Техника и технологии

Выпуск журнала: Т. 4, № 5

Номера страниц: 542-546

ISSN журнала: 1999494X

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Сибирский федеральный университет

• Шиманский А.Ф. (Сибирский федеральный университет)
• Подкопаев О.И. (ОАО «Германий»)
• Вахрин В.В. (ОАО «Германий»)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК