Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Аннотация: Из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов в диапазоне энергий первичных электронов от 300 до 3000 эВ определен профиль концентрации SiO2 в структуре SiO2/Si(111). Анализ спектров проведен с использованием предложенного алгоритма и разработанной программы компьютерного моделирования спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов для слоистых структур с произвольным количеством слоев, произвольной толщины и переменной концентрацией компонентов в каждом слое. Варьированием концентраций диоксида кремния и кремния в каждом слое достигалось наилучшее согласие между расчетными и экспериментальными спектрами. Результаты могут быть использованы для профилирования структур пленка-подложка с произвольным составом компонентов.

Журнал: Физика и техника полупроводников

Выпуск журнала: Т. 50, № 3

Номера страниц: 344-349

ISSN журнала: 00153222

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

• Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. ак. М.Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия)
• Кущенков C.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. ак. М.Ф. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия)
• Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия)
• Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК