Point defect interactions in doped II-VI compounds under ion and electron beam irradiation | Научно-инновационный портал СФУ

Point defect interactions in doped II-VI compounds under ion and electron beam irradiation

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Institute-of-Physics Conference on Microscopy of Semiconducting Materials 1995; OXFORD UNIV, OXFORD, ENGLAND; OXFORD UNIV, OXFORD, ENGLAND

Год издания: 1995

Ключевые слова: SEMICONDUCTORS, MICROSCOPE

Аннотация: The chemistry of decomposition of doped II-VI compounds is examined under ion beam and electron beam irradiation. Assignment of moire fringes exhibited by displaced particles against possible reaction products indicates preferential anion expulsion from n-type material and accelerated oxidation.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1995

Выпуск журнала: Vol. 146

Номера страниц: 431-434

ISSN журнала: 09513248

Место издания: BRISTOL

Издатель: IOP PUBLISHING LTD

Авторы

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.