Исследование особенностей роста эпитаксиальных пленок Fe3Si, выращенных на Si(111) : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

Исследование особенностей роста эпитаксиальных пленок Fe3Si, выращенных на Si(111) : научное издание

Перевод названия: Investigation of The characteristics of Fe3Si epitaxial FILMS grown on Si(111) substrates

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: ферромагнитный силицид Fe3Si, молекулярно-лучевая эпитаксия, просвечивающая электронная микроскопия, дифракция в сходящемся пучке, ferromagnetic silicide Fe3Si, molecular beam epitaxy, transmission electron microscopy, diffraction in a convergent beam

Аннотация: Представлены результаты структурных исследований эпитаксиальных пленок ферромагнитного силицида Fe3Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на атомарно чистой поверхности Si(111)7?7 при температуре подложки 150 °С. Активное исследование эпитаксиальных металлических пленок на кремнии вызвано необходимостью увеличения быстродействия, уменьшения размеров и повышения энергоэф- фективности устройств микроэлектроники, в том числе используемых в автоматических космических аппаратах. Исследование пленок ферромагнитных силицидов связано с производством наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти, что тесно связано с развитием нового направления спиновой электроники, поскольку силициды железа сочетают в себе ферромагнитные и полупроводниковые свойства. Также силицид железа Fe3Si имеет гранецентрированную кубическую структуру и малый параметр рассогасования кристаллической решетки с кремниевой (4,2 %) и германиевой (0,5 %) подложками, что позволяет выращивать монокристаллические пленки Fe3Si в направлении 111. Методами дифракции электронов изучена структура пленок, которая идентифицирована как монокристаллическая пленка Fe3Si(111), определена толщина и шероховатость пленки, рассчитан угол поворота кристаллической решетки между пленкой Fe3Si и Si-подложкой. Полученные данные необходимы для разработки рекомендаций по улучшению технологии выращивания эпитаксиальных пленок ферромагнитных силицидов. The results of structural studies of epitaxial films of the ferromagnetic silicide Fe3Si, grown by molecular beam epitaxy on an atomically clean surface of Si (111)7?7 at a substrate temperature of 150 °C are presented. The active study of epitaxial metal films on silicon is due to the need to increase performance, reduce size and energy efficiency of microelectronics devices used, including, in the automatic spacecraft. The study of the ferromagnetic silicide films associated with the production of nanomaterials for photonics, microsystems technology and memory devices are closely linked with the development of a new direction of spin electronics. This is due to the fact that iron silicide combines ferromagnetic and semiconductor properties. Also Fe3Si silicide has a face-centered cubic structure and a small mismatch lattice parameter with silicon (4.2 %) and germanium (0.5 %) substrates that allows grow Fe3Si single-crystal film in the direction 111. Using electron diffraction method the structure of the films has been studied and it is identified as a single crystal film of Fe3Si(111), as well as the thickness and roughness of the film and the angle of rotation of the crystal lattice between the Fe3Si film and Si substrate were determined. The obtained data are needed to develop the recommendations to improve the technology of growing of epitaxial ferromagnetic silicide films.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: Т. 17, 3

Номера страниц: 792-796

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Волочаев М.Н. (Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН)
  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.