Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2010
Идентификатор DOI: 10.1134/S0021364010170170
Аннотация: Electronic band structure and energetic stability of two types of aOE (c) 110 > and aOE (c) 001 > oriented silicon nanowires in beta-Sn phase with the surface terminated by hydrogen atoms were studied using density functional theory. It was found that beta-Sn nanowires are metastable with zero band gap against to nanowires in diamond phase. The relative energy of the studied wires tends to the energy of the bulk silicon crystal in beta-Sn phase.
Издание
Журнал: JETP LETTERS
Выпуск журнала: Vol. 92, Is. 5
Номера страниц: 352-355
ISSN журнала: 00213640
Место издания: NEW YORK
Издатель: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
Персоны
- Sorokin P.B. (Emanuel Institute of Biochemical Physics,Russian Academy of Sciences)
- Avramov P.V. (Advanced Science Research Center,Japan Atomic Energy Agency)
- Demin V.A. (Siberian Federal University)
- Chernozatonskii L.A. (Emanuel Institute of Biochemical Physics,Russian Academy of Sciences)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.