Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Аннотация: В рамках t-J-модели рассмотрена концентрационная зависимость энтропии допированных мотт-хаббардовских диэлектриков. Показано, что изменение типа и статистики носителей тока по сравнению с Ферми-газом приводит к радикальному изменению энтропии s, в частности, к гигантскому росту энтропии при допировании. Величина (d s)/(d x)~ kB, что приближенно согласуется с экспериментальными данными для ВТСП купратов в псевдощелевой фазе. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИИ N 09-02-00127, Программы отделения физических наук N 2,3, гранта МК-1683.2010.2 и проекта ФЦП "Кадры" НК-589 П.

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 53, № 2

Номера страниц: 280-283

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

• Овчинников С.Г. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
• Сидоров К.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
• Шнейдер Е.И. (Сибирский аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК