Перевод названия: Defect FORMATION in zinc sulfide
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2016
Ключевые слова: сульфид цинка, полупроводниковые материалы, просвечивающая электронная микроскопия, zinc sulfide, semiconductor materials, transmission electron microscopy
Аннотация: Рассмотрены особенности дефектообразования в сульфиде цинка (ZnS), который используется для создания люминофоров, полупроводниковых лазеров, а также для детекторов регистрации ионизирующего излучения. Однако данный материал имеет невысокое значение энергии дефекта упаковки (ЭДУ), что говорит о быстром росте дефектной сети и деградации материала при работе в неблагоприятных условиях. The structural defect formation in zinc sulfide (ZnS) used to create luminophores, semiconductor lasers and detectors for registration of ionizing radiation are discussed. However this material has a low value of the stacking fault energy (SFE) and indicates the rapid growth of the defect network and material degradation when operating in adverse conditions
Издание
Журнал: Актуальные проблемы авиации и космонавтики
Выпуск журнала: Т. 1, № 12
Номера страниц: 325-326
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева
Персоны
- Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.