Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 38, № 1

Номера страниц: 27-36

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

• Терещенко О.Е. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Варнаков С.Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
• Рауцкий М.В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Волков Н.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск)
• Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
• Латышев А.В. (Новосибирск Новосибирский государственный университет)
• Паулиш А.Г. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Неклюдова М.А. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Шамирзаев Т.С. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Ярошевич А.С. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Просвирин И.П. (Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск)
• Жаксылыкова И.Э. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Дмитриев Д.В. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
• Торопов А.И. (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК