СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | Научно-инновационный портал СФУ

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Перевод названия: PROCESS OF MANUFACTURE OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH SCOTT GATE MADE OF GALLIUM ARSENIDE

Тип публикации: патент

Год издания: 1996

Аннотация: Использование: изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность: металлизацию электродов (истока, стока и затвора) транзистора осуществляют химическим осаждением из растворов селективно через фоторезистивную контактную маску. В качестве материала затвора используют покрытие, выполненное из аморфного, тугоплавкого сплава никель-палладий-фосфор, который осаждают из никельпалладиевой ванны при температуре 96-99oC и рН 9-10. FIELD: electronics. SUBSTANCE: invention relates to technology of manufacture of semiconductor devices. Metallization of electrodes (source, drain and gate) is conducted by chemical selective precipitation from solution through photoresistive contact mask. Coating made of amorphous refractory nickel-palladium-phosphorus alloy which is precipitated from nickel- palladium bath at temperature 96-99 C and pH 9.0-10.0 is used as material of gate. EFFECT: facilitated manufacture.

Ссылки на полный текст

Авторы

  • Кипарисов С.Я. (Научно-исследовательский инженерный центр "Кристалл")

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.