Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.
Издание
Журнал: Журнал физической химии
Выпуск журнала: Т. 86, № 7
Номера страниц: 1207
ISSN журнала: 00444537
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"
Персоны
- Кузубов А.А. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
- Елисеева Н.С. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
- Краснов П.О. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
- Томилин Ф.Н. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
- Федоров А.С. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
- Толстая А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.