Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2003
Аннотация: Электронная структура дырочно дотированных ВТСП-купратов рассчитывается с явным учетом сильных электронных корреляций. Прослежена плавная эволюция электронной структуры от недопированного антиферромагнетика к оптимально и сильно допированным парамагнитным составам. При малом допировании получены внутри щелевые состояния примесного типа, на которых пиннингуется уровень Ферми в области слабого допирования. Эти состояния отделены псевдощелью от валентной зоны. В парамагнитной фазе рассчитанные поверхности Ферми для разной концентрации дырок хорошо согласуются с данными ARPES-экспериментов и показывают постепенную смену типа поверхности Ферми от дырочного к электронному.
Издание
Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
Выпуск журнала: Т. 124, № 4
Номера страниц: 862-870
ISSN журнала: 00444510
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука
Персоны
- Борисов А.А. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
- Гавричков В.А. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
- Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.