ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОСЛОЯ h-BN

Перевод названия: THEORETICAL INVESTIGATION OF DEFECTS INFLUENCE ON ELECTRONIC STRUCTURE OF h-BN MONOLAYER

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Аннотация: Исследовано влияние вакансий бора, азота и бивакансий на электронную структуру h-BN. При наличии вакансий в ней появляются внедренные состояния в запрещенной зоне. Положение внедренного состояния изменяется в зависимости от деформации. Расчеты показывают, что в зависимости от вида дефекта и величины приложенной деформации внедренное состояние может оказаться как локализованным, так и нелокализованным на атомах, окружающих дефект. В случае когда состояние локализовано, в системе наблюдается неоднородность распределения спиновой плотности, что приводит к появлению в системе магнитного момента.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т.2, 14

Номера страниц: 593-594

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Сержантова М.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Кузубов А.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.