ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОСЛОЯ h-BN : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОСЛОЯ h-BN : научное издание

Перевод названия: THEORETICAL INVESTIGATION OF DEFECTS INFLUENCE ON ELECTRONIC STRUCTURE OF h-BN MONOLAYER

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Аннотация: Исследовано влияние вакансий бора, азота и бивакансий на электронную структуру h-BN. При наличии вакансий в ней появляются внедренные состояния в запрещенной зоне. Положение внедренного состояния изменяется в зависимости от деформации. Расчеты показывают, что в зависимости от вида дефекта и величины приложенной деформации внедренное состояние может оказаться как локализованным, так и нелокализованным на атомах, окружающих дефект. В случае когда состояние локализовано, в системе наблюдается неоднородность распределения спиновой плотности, что приводит к появлению в системе магнитного момента. Influences of boron and nitrogen vacant positions and deviances on the electronic structure of h-BN were investigated in our work. If there are some vacant positions in the structure the interstitial states appear in a band gap. The position of interstitial state changes in dependence of strain. Computations show that interstitial state might be localized or nonlocalized on atoms surrounding the defect in dependence of the kind of defect and the strength of applied strain. When state is localized the inhomogeneity of spin density distribution is observed.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 2, 14

Номера страниц: 593-594

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Сержантова М.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Кузубов А.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.