Теоретическое исследование зависимости миграции одиночной вакансии в графене от деформации : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

Теоретическое исследование зависимости миграции одиночной вакансии в графене от деформации : научное издание

Перевод названия: Theoretical Investigation of Dependence of Single Vacancy Migration in Graphene on Its Deformation

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2010

Ключевые слова: вакансии, defects, Quantum Chemistry, graphene, deformation, квантовая химия, графен, деформация

Аннотация: Проведено теоретическое исследование влияния внешнего давления на миграцию дефектов в графеновых слоях. Установлено, что сжатие структуры в направлении, параллельном миграции вакансии, а также растяжение в перпендикулярном направлении понижают энергию активации перемещения вакансий, что приводит к увеличению частоты перескока. На основании полученных данных возможно создание метода, позволяющего локализовать дефекты в структуре графена, не прибегая к отжигу до высоких температур. Theoretical investigation of influence of external pressure on defects migration in the graphene layers has been performed. It has been shown that compression of structure along parallel direction and extension along perpendicular direction to the vacancy migration decrease activation energy of vacancy migration. It leads to increasing of jump frequency. On the basis of derived results it is possible to create method allowing us to localize defects in the graphene structure without annealing up to the high temperatures.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал Сибирского федерального университета. Серия: Химия

Выпуск журнала: Т. 3, 3

Номера страниц: 305-310

ISSN журнала: 19982836

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Сибирский федеральный университет

Авторы

  • Ананьева Ю.Е. (Сибирский федеральный университет)
  • Елисеева Н.С. (Сибирский федеральный университет)
  • Краснов П.О. (Сибирский государственный технологический университет)
  • Кузубов А.А. (Сибирский федеральный университет Сибирский государственный технологический университет)
  • Федоров А.С. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.