Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2007
Ключевые слова: слоистые наноструктуры, спонтанная намагниченность, гранулированная микроструктура
Аннотация: В интервале температур 4,2-300 К исследованы магнитные свойства планарных наноструктур Co/Si с различными номинальными толщинами магнитных (2-42 нм) и немагнитных (0,3-10 нм) слоистых составляющих. Установлено, что в присутствии слоев Si происходит уменьшение спонтанной намагниченности Со, изменение ее температурной зависимости и модификация магнитного гистерезиса. Межслойное влияние интерпретировано как следствие диффузии Si в слои Со, которая приводит к образованию магнитонеоднородных приграничных интерфейсов с пониженной средней намагниченностью. Глубина интерфейсов зависит от номинальной толщины слоев Si и по оценкам может составлять до 1,6 нм. В модели гранулированной микроструктуры интерфейсов дано качественное объяснение особенностям намагничивания исследованных объектов под действием магнитного поля и температуры. Некоторые положения предложенной модели подтверждены результатами электронно-микроскопических наблюдений.
Издание
Журнал: Физика низких температур
Выпуск журнала: Т. 33, № 4
Номера страниц: 439-445
ISSN журнала: 01326414
Место издания: Харьков
Издатель: Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина Национальной академии наук Украины
Персоны
- Васьковский В.О. (Уральский государственный университет им. А.М. Горького)
- Патрин Г.С. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)
- Великанов Д.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)
- Свалов А.В. (Уральский государственный университет им. А.М. Горького)
- Щеголева Н.Н. (Институт физики металлов УрО РАН)
Вхождение в базы данных
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.