Spectroscopy of the cross section of inelastic scattering of electrons in SiO 2/Si(100) layered systems

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Идентификатор DOI: 10.3103/S8756699012040103

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing

Выпуск журнала: Т.48, 4

Номера страниц: 396-400

ISSN журнала: 87566990

Место издания: Новосибирск

Издатель: Allerton Press, Inc.

Авторы

  • Parshin A.S. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • Kushchenkov S.A. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
  • Khasanov T. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
  • Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.