Spectroscopy of the cross section of inelastic scattering of electrons in SiO 2/Si(100) layered systems : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Идентификатор DOI: 10.3103/S8756699012040103

Журнал: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing

Выпуск журнала: Т. 48, № 4

Номера страниц: 396-400

ISSN журнала: 87566990

Место издания: Новосибирск

Издатель: Allerton Press, Inc.

Parshin A.S. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
Kushchenkov S.A. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
Khasanov T. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)
Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences)

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.