НОВЫЙ МЕТОД ОЦЕНКИ ВЛИЯНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В СПЕКТРОСКОПИИ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

НОВЫЙ МЕТОД ОЦЕНКИ ВЛИЯНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ В СПЕКТРОСКОПИИ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ : научное издание

Перевод названия: NEW METHOD OF SURFACE EXCITATION PARAMETER DETERMINATION IN INELASTIC SCATTERING CROSS-SECTION

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Ключевые слова: спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов, спектроскопия характеристических потерь энергии электронами, параметр поверхностных возбуждений, inelastic scattering cross-section, Electron energy loss spectroscopy, Surface excitation parameter

Аннотация: Спектры потерь энергии отраженных электронов получены для серии образцов Si. Из этих экспериментальных спектров вычислены зависимости произведения средней длины неупругого пробега и дифференциального сечения неупругого рассеяния электронов от потерь энергии электронов. Предложен новый метод определения параметра поверхностных возбуждений в спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов, основанный на разложении этих спектров на пики потерь, описываемые трехпараметрическими универсальными функциями сечения Тоугаарда. Energy loss spectra of reflected electrons are obtained for the series of Si samples. Energy loss dependence of inelastic mean free path and differential inelastic electron scattering cross-section are calculated. A new method to determine surface excitation parameter, based on fitting of these spectra with the Tougaard Three-parameter Universal cross-section is proposed.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 18

Номера страниц: 469-471

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Игуменов А.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии СО РАН)
  • Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)
  • Никифоров А.И. (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)
  • Тимофеев В.А. (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.