Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2014
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Psi и Delta непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1-xCdxTe.
Издание
Журнал: Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 84, № 5
Номера страниц: 109-112
ISSN журнала: 00444642
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука
Персоны
- Косырев Н.Н.
- Швец В.А.
- Михайлов Н.Н.
- Варнаков С.Н.
- Овчинников С.Г.
- Рыхлицкий С.В.
- Яковлев И.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.