Highly resistive p-PbTe films with carrier concentration as low as 10 14 cm-3

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2004

Идентификатор DOI: 10.1063/1.1728319

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Applied Physics Letters

Выпуск журнала: Т.84, 19

Номера страниц: 3732-3734

ISSN журнала: 00036951

Издатель: American Institute of Physics

Авторы

  • Sandomirsky V. (Bar-Ilan University,Department of Physics)
  • Butenko A.V. (Bar-Ilan University,Department of Physics)
  • Kolobov I.G. (B. Verkin Inst. Low Temp. Phys./Eng.,Natl. Academy of Sciences of Ukraine)
  • Ronen A. (Bar-Ilan University,Department of Physics)
  • Schlesinger Y. (Bar-Ilan University,Department of Physics)
  • Sipatov A.Y. (National Technical University,KPI)
  • Volubuev V.V. (National Technical University,KPI)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.