ВЛИЯНИЕ ФОТОННОЙ ОБРАБОТКИ И ТЕМПЕРАТУРЫ НА ПРОВОДИМОСТЬ In 2O 3 ПЛЕНОК, ПОЛУЧЕННЫХ АВТОВОЛНОВЫМ ОКИСЛЕНИЕМ

Перевод названия: THE IMPACT OF THE PHOTON PROCESSING AND TEMPERATURE ON THE CONDUCTIVITY OF In 2O 3 FILMS PRODUED WITH AUTOWAVE OXIDATION

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: thin films, Indium oxide, auto-wave oxidation, ultraviolet irradiation, тонкие пленки, оксид индия, автоволновое окисление, ультрафиолетовое облучение

Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In 2O 3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 3

Номера страниц: 103-106

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Тамбасов И.А. (Институт физики им. Л. В. Киренского, Сибирское отделение Российской академии наук)
  • Немцев И.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Савранский Д.С. (Сибирский федеральный университет)
  • Мацынин А.А. (Институт физики им. Л. В. Киренского, Сибирское отделение Российской академии наук)
  • Ежикова Е.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.