МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ У3/4Lu1/4Ва2Сu3O7 + BaPb1 _ xSnxO3 (x = 0, 0.25)

Перевод названия: Magnetoresistive Properties of Y3/4Lu1/4Ba2Cu3O7 + BaPb1 - xSnxO3 (x = 0, 0.25) Composites

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2003

Аннотация: Исследованы магниторезистивные свойства композитов на основе ВТСП-структуры 1-2-3 и металлооксида BaPb1 - xSnxO3 (при <i>x </i>= 0, 0.25). Композиты обладают значительным магниторезистивным эффектом в широкой области температур, включая удобную для технических применений температуру жидкого азота. Установлена зависимость между отношением величин измерительного тока <i>j </i>к критическому <i>j</i><i>c</i><i> </i>и видом характеристики p(H) композитов. При <i>j/j</i><i>c</i><i> </i>< 1 электросопротивление возникает при пороговом значении магнитного поля Hc. При <i>j/j</i><i>c</i><i> ~ </i>1 зависимость p(H) возрастает из начала координат. При <i>j/j</i><i>c</i><i> </i>> 1 зависимости p(H) начинают возрастать с некоторого значения p(H = = 0). Путем варьирования содержания несверхпроводящего ингредиента в композите и величины транспортного тока <i>j </i>(~0.05-1 А/см2) возможно управлять величиной отклика электросопротивления на изменение поля. Значение p0 = (p(H) - p(H = 0))/p(H = 0) для композитов при <i>T </i>= 77 К достигает 1000-2000% при <i>H </i>= 30 Э и p(H = 0) = 0.2-2 мОм см, что перспективно для использования этих материалов в качестве активных элементов датчиков магнитных полей, работающих при 77 К.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика металлов и металловедение

Выпуск журнала: Т.96, 6

Номера страниц: 30-37

ISSN журнала: 00153230

Место издания: Екатеринбург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Бадаев Д.A. (Институт физики им. Киренского СО РАН)
  • Шайхутдинов К.A. (Институт физики им. Киренского СО РАН)
  • Попков С.И. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева)
  • Гохфельд Д.М. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева)
  • Петров М.И. (Институт физики им. Киренского СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.