СПЕКТРОСКОПИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

СПЕКТРОСКОПИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ : научное издание

Перевод названия: REFLECTION OF ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY IN STRUCTURES BASED ON SILICON AND TRANSITION METALS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: Metal-semiconductor structures, semiconductors, metals, iron silicides, Inelastic electron scattering cross-section, Electron energy loss spectroscopy, структуры металл-полупроводник, полупроводники, металлы, силициды железа, спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов

Аннотация: Структуры на основе кремния и переходных металлов перспективны для создания устройств наноэлектроники, нанофотоники и спинтроники, имеющих значение для развития ракетно-космической отрасли. В данной работе проведено исследование структур на основе Si, Fe, Mn методами спектроскопии характеристических потерь и сечения неупругого рассеяния электронов с применением авторской методики аппроксимации последних Лоренцевоподобными пиками Тоугаарда. Structures based on silicon and transition metals promise the creation of nanoelectronic, nanophotonics and spintronics devices, relevant to the development of the space industry. In this paper, the investigation of structures based on Si, Fe, Mn is carried out using methods of electron energy loss and inelastic electron scattering cross section with approximating of these spectra with the Lorentzian-type Tougaard peaks is performed.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, 20

Номера страниц: 601-603

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

Авторы

  • Игуменов А.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии СО РАН)
  • Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
  • Жигалов В.С. (Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.