Влияние сопротивления лицевого слоя солнечного элемента на выходные характеристики устройства

Перевод названия: THE INFLUENCE OF SURFACE LAYER RESISTANCE ON OUTPUT CHARACTERISTICS of SOLAR CELLs

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Ключевые слова: p-n-переход, P-n-junction, Solar Cells, current-voltage characteristic, the resistance of surface layer, short-circuit current, солнечные элементы, вольт-амперная характеристика, сопротивление лицевого слоя, ток короткого замыкания

Аннотация: Рассмотрено влияние сопротивления лицевого слоя солнечного элемента (СЭ) на выходные характеристики устройства. Солнечные элементы активно используются в производстве солнечных батарей космических аппаратов, и эффективность работы СЭ влияет на время жизни изделия. В настоящее время прилагаются значительные усилия для увеличения эффективности солнечных элементов (СЭ). Минимизация сопротивления n + -канала позволяет улучшить качество СЭ при длительной эксплуатации изделия, например, в условиях радиационного воздействия в космосе. Поэтому интересно рассмотреть более точные модели учета влияния омических потерь n + -канала на вольт-амперные характеристики СЭ. На основе дифференциальных уравнений для распределения потенциалов и токов в лицевом n + -слое солнечных элементов n + -p-типа получено выражение для их вольт-амперных характеристик (ВАХ) в зависимости от параметров лицевого слоя. Это позволило уточнить влияние сопротивления лицевого n + -слоя (R) на выходные характеристики СЭ (I кз , V хх , коэффициент заполнения), связав их с параметрами n + -p-перехода. Предложен простой алгоритм численного решения указанных уравнений с расчетом ВАХ СЭ. Показано, что при сопротивлении лицевого слоя R R п (~ 4 Ом/см 2 ) ток короткого замыкания (I кз ) и коэффициент заполнения (?) уменьшаются обратно пропорционально, а при R R п ВАХ практически не зависит от R. Полученные результаты могут быть использованы при анализе работы солнечных батарей космических аппаратов.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: Т. 16, 1

Номера страниц: 188-192

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Брильков А.В. (Сибирский федеральный университет)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.