СПЕКТРОСКОПИЯ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СИСТЕМАХ SiO2/Si(100) : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

СПЕКТРОСКОПИЯ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СИСТЕМАХ SiO2/Si(100) : научное издание

Перевод названия: Spectroscopy of the Cross Section of Inelastic Scattering of Electrons in SiO2/Si(100) Layered Systems

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Ключевые слова: electron spectroscopy, cross section of inelastic scattering of electrons, mean free path of electrons, электронная спектроскопия, сечение неупругого рассеяния электронов, длина свободного пробега электрона

Аннотация: Для слоистых структур SiO2/Si(100) из экспериментальных спектров потерь энергии отражённых электронов при разных энергиях первичных электронов получены спектры сечения неупругого рассеяния электронов - произведение средней длины неупругого рассеяния и его дифференциального сечения. Проведено компьютерное моделирование спектров сечения неупругого рассеяния отражённых электронов для слоистых структур с использованием диэлектрической функции материалов плёнки и подложки. Установлено, что толщина слоя SiO2, определённая при сравнении экспериментальных и модельных спектров, согласуется с результатами эллипсометрических измерений. Spectra of the cross section of inelastic scattering of electrons (product of the mean free path of inelastic scattering and its differential cross section) are obtained for SiO2/Si(100) layered structures from experimental spectra of energy losses of reflected electrons with different energies of primary electrons. Computer simulations of the spectra of the cross section of inelastic scattering of reflected electrons for these layered structures are performed with the use of the dielectric function of the film and substrate materials. It is found that the SiO2 layer thickness determined through comparisons of experimental and model spectra agrees with results of ellipsometric measurements.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Автометрия

Выпуск журнала: Т. 48, 4

Номера страниц: 88-92

ISSN журнала: 03207102

Место издания: Новосибирск

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Издательство Сибирского отделения Российской академии наук

Авторы

  • Паршин Анатолий Сергеевич (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М. Ф. Решетнева)
  • Кущенков Станислав Александрович (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М. Ф. Решетнева)
  • Пчеляков Олег Петрович (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)
  • Михлин Юрий Леонидович (Институт химии и химической технологии СО РАН)
  • Хасанов Хасанов Тохир (Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.