Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2013
Идентификатор DOI: 10.7868/S0044453713080189
Аннотация: Исследованы геометрические особенности монослоя 2D SiC на пластинках Mg(0001) и MgO(111), рассматриваемых в качестве потенциальных материалов для выращивания двумерного карбида кремния. Определены наиболее выгодные положения атомов 2D SiC на подложках. Показано, что величина выхода атома углерода из плоскости монослоя карбида кремния незначительна в системе 2D SiC/Mg(0001) в отличие от 2D SiC/MgO(111) и составляет 0.08 A. Следовательно, существует возможность использования магния в качестве подложки для выращивания двумерного карбида кремния. Использовать MgO(111) нецелесообразно из-за сильного искажения поверхности 2D SiC.
Издание
Журнал: Журнал физической химии
Выпуск журнала: Т. 87, № 8
Номера страниц: 1336
ISSN журнала: 00444537
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"
Персоны
- Кузубов А.А. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
- Елисеева Н.С. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
- Краснов П.О. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
- Томилин Ф.Н. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
- Федоров А.С. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
- Толстая А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.