ВОЗМОЖНОСТЬ ОБРАЗОВАНИЯ МОНОСЛОЯ 2D SiC НА ПОДЛОЖКАХ Mg(0001) И MgO(111)

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Идентификатор DOI: 10.7868/S0044453713080189

Аннотация: Исследованы геометрические особенности монослоя 2D SiC на пластинках Mg(0001) и MgO(111), рассматриваемых в качестве потенциальных материалов для выращивания двумерного карбида кремния. Определены наиболее выгодные положения атомов 2D SiC на подложках. Показано, что величина выхода атома углерода из плоскости монослоя карбида кремния незначительна в системе 2D SiC/Mg(0001) в отличие от 2D SiC/MgO(111) и составляет 0.08 A. Следовательно, существует возможность использования магния в качестве подложки для выращивания двумерного карбида кремния. Использовать MgO(111) нецелесообразно из-за сильного искажения поверхности 2D SiC.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал физической химии

Выпуск журнала: Т.87, 8

Номера страниц: 1336

ISSN журнала: 00444537

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

Авторы

  • Кузубов А.А. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
  • Елисеева Н.С. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
  • Краснов П.О. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
  • Томилин Ф.Н. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
  • Федоров А.С. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
  • Толстая А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.