Издание
Журнал: Semiconductors
Выпуск журнала: Т. 48, № 2
Номера страниц: 224-227
ISSN журнала: 10637826
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд)
Персоны
- Parshin A.S. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
- P'yanovskaya E.P. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
- Esin M.Y. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
- Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics,Russian Academy of Sciences, Siberian Branch)
- Nikiforov A.I. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics,Russian Academy of Sciences, Siberian Branch)
- Timofeev V.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics,Russian Academy of Sciences, Siberian Branch)
- Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology,Russian Academy of Sciences, Siberian Branch)
Вхождение в базы данных
- Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
- Список ВАК
Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.