Inelastic electron scattering cross-section spectroscopy of GexSi1 - x nanoheterostructures

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Идентификатор DOI: 10.1134/S1063782614020225

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Semiconductors

Выпуск журнала: Т. 48, 2

Номера страниц: 224-227

ISSN журнала: 10637826

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд)

Авторы

  • Parshin A.S. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • P'yanovskaya E.P. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • Esin M.Y. (Reshetnev Siberian State Aerospace University)
  • Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics,Russian Academy of Sciences, Siberian Branch)
  • Nikiforov A.I. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics,Russian Academy of Sciences, Siberian Branch)
  • Timofeev V.A. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics,Russian Academy of Sciences, Siberian Branch)
  • Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology,Russian Academy of Sciences, Siberian Branch)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.