Сибирский федеральный университет

Перевод названия: Influence of the stacking fault energy on the structural defect formation in semiconductors

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: энергия дефекта упаковки, полупроводниковые материалы, просвечивающая электронная микроск, stacking fault energy, semiconductor materials, transmission electron microscopy

Аннотация: Рассмотрены особенности дефектообразования в полупроводниках с различной энергией дефекта упаковки (ЭДУ). Показано, что дефектообразование происходит интенсивнее, и в первую очередь в полупроводниках с низким значением ЭДУ. Приводится анализ критического радиуса дислокационных петель, образующихся в полупроводниках с различным значением ЭДУ. Материалы, имеющие невысокое значение энергии дефекта упаковки, склонны к быстрому росту дефектной сети и деградации материала при работе в неблагоприятных условиях. The structural defect formation in semiconductors with different values of the stacking fault energy (SFE) is discussed. It is shown, that the defect formation is more intense in the first place in semiconductors with low value SFE. Materials having low stacking fault energy are prone to rapid growth of networks and defective degradation of the material when operating under adverse conditions.

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т. 1, № 20

Номера страниц: 605-606

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

• Мозжерин А.В. (Сибирский федеральный университет)

• РИНЦ (eLIBRARY.RU)