Влияние упругих напряжений на формирование структурных дефектов в полупроводниках

Перевод названия: EFFECT OF ELASTIC STRESSES ON THE FORMATION OF STRUCTURAL DEFECTS IN SEMICONDUCTORS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: structural defects, elastic constants, electron microscopy, semiconductors, структурные дефекты, упругие постоянные, электронная микроскопия, полупроводники

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы закономерности образования структур- ных дефектов в полупроводниках CdTe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, Si и GaAs. Установлено, что при одних и тех же условиях обработки в полупроводниках группы А2В6 образуются дефекты наибольших размеров и с более высо- кой плотностью по сравнению с Si и GaAs. При этом степень нарушений кристаллической решетки и интен-сивность дефектообразования убывает в следующей последовательности: от ZnS > ZnSe ? CdS > CdTe ?? HgTe > ZnTe > GaAs ? Si. Экспериментальные результаты объясняются на основе анализа упругих напря-жений, создаваемых в материале в результате образования структурных дефектов.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева

Выпуск журнала: 2

Номера страниц: 198-200

ISSN журнала: 18169724

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Брильков А.В. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.