Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Ключевые слова: фотонный кристалл, запрещенная зона, дефектная мода, романовское усиление

Аннотация: Исследованы особенности рамановского усиления пробного излучения в трехуровневых атомах, помещенных в дефект одномерного фотонного кристалла (ФК), в присутствии лазерной накачки. Показано, что существует область интенсивностей накачки, в которой в спектре пропускания и отражения ФК для пробного поля одновременно возникают узкие пики. Коэффициенты пропускания и отражения при этом могут быть больше единицы при интенсивности накачки от единиц микроватт на квадратный сантиметр до десятков милливатт на квадратный сантиметр. Природа узких пиков обусловлена резкой дисперсией нелинейного показателя преломления вблизи комбинационного резонанса. Предложенная схема позволяет получать управляемые сверхузкие резонансы в спектрах пропускания и отражения ФК.

Журнал: Известия высших учебных заведений. Физика

Выпуск журнала: Т. 54, № 2

Номера страниц: 42-46

ISSN журнала: 00213411

Место издания: Томск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский Томский государственный университет

• АРХИПКИН Василий Григорьевич (Сибирский федеральный университет)
• МЫСЛИВЕЦ Сергей Александрович (Сибирский федеральный университет)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК