Electronic parameters of K3WO3F3 and W-O bonding : доклад, тезисы доклада | Научно-инновационный портал СФУ

Electronic parameters of K3WO3F3 and W-O bonding : доклад, тезисы доклада

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Год издания: 2009

Идентификатор DOI: 10.1109/EDM.2009.5173938

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM - Proceedings

Номера страниц: 92-95

Место издания: Novosibirsk

Авторы

  • Atuchin V.V. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
  • Gavrilova T.A. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
  • Kesler V.G. (Institute of Semiconductor Physics,SB RAS)
  • Molokeev M.S. (Laboratory of Crystal Physics,Institute of Physics,SB RAS)
  • Alexandrov K.S. (Laboratory of Crystal Physics,Institute of Physics,SB RAS)
  • sponsors: Novosibirsk State Technical University, IEEE Russia Siberia Section, IEEE Novosibirsk Joint ED/MTT/CPMT/COM/SSC Chapter

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.