Сибирский федеральный университет

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2021

Идентификатор DOI: 10.21883/PJTF.2021.07.50796.18581

Ключевые слова: bandpass filter, microstrip resonator, dielectric substrate, frequency response, полосно-пропускающий фильтр, микрополосковый резонатор, диэлектрическая подложка, амплитудно-частотная характеристика

Аннотация: Разработаны новые микрополосковые конструкции полосно-пропускающих фильтров на основе фильтра нижних частот, в котором часть или все отрезки высокоомных микрополосковых линий соединены с экраном шлейфами. Фильтры обладают высокими частотно-селективными свойствами, а их относительная ширина полосы пропускания попадает в интервал 30-150%. Экспериментальный образец фильтра с центральной частотой полосы пропускания 2 GHz и ее относительной шириной 70%, изготовленный на подложке из поликора толщиной 1 mm, имеет площадь подложки 46x 21 mm. Показано хорошее согласие измеренных амплитудно-частотных характеристик фильтра с характеристиками, рассчитанными с помощью численного электродинамического анализа его 3D-модели. Ключевые слова: полосно-пропускающий фильтр, микрополосковый резонатор, диэлектрическая подложка, амплитудно-частотная характеристика. New microstrip designs of bandpass filters based on a low-pass filter was developed. Several or all the sections of high-impedance microstrip lines of the designed filters were connected to the ground by stubs. The filters have high frequency-selective properties, and their fractional bandwidths are in the range of 30 % -150 %. An experimental sample of a filter with a 2 GHz central frequency of the passband and 70% fractional bandwidth was made on an alumina substrate 1 mm thick. The filter has a substrate area of 46 × 21 mm2. Good agreement of the measured frequency response of the filter with the characteristics calculated by the numerical electrodynamic analysis of its 3D model was shown.

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 47, № 7

Номера страниц: 30-34

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

• Беляев Б.А. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)
• Ходенков С.А. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)
• Говорун И.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Сержантов А.М. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)