Simulating the cross section of inelastic scattering of electrons in layered structures on the basis of dielectric functions and experimental spectra of the film and substrate : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Идентификатор DOI: 10.3103/S8756699015040123

Журнал: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing

Выпуск журнала: Т. 51, № 4

Номера страниц: 417-422

ISSN журнала: 87566990

Место издания: Новосибирск

Издатель: Allerton Press, Inc.

Parshin A.S. (Siberian State Aerospace University)
Kushchenkov S.A. (Siberian State Aerospace University)
Pchelyakov O.P. (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences)
Mikhlin Y.L. (Institute of Chemistry and Chemical Technology, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences)

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.