Эффекты переключения токовых каналов и новый механизм магнитосопротивления в туннельной структуре : научное издание | Научно-инновационный портал СФУ

Эффекты переключения токовых каналов и новый механизм магнитосопротивления в туннельной структуре : научное издание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2009

Аннотация: Исследованы транспортные свойства туннельной структуры La0.7Sr0.3MnO3/обедненный слой манганита/MnSi. Роль потенциального барьера между проводящими слоями La0.7Sr0.3MnO3 и MnSi играет обедненный марганцем слой манганита. Исследования проводились в геометрии, при которой ток параллелен плоскости интерфейсов структуры. Обнаружены нелинейность ВАХ структуры и положительное магнитосопротивление, величина которого зависит от тока через структуру. Предполагается, что особенности транспортных свойств связаны с эффектом переключения токового канала между проводящими слоями структуры. В основе механизма переключения --- зависимость сопротивления туннельного перехода между проводящими слоями от смещения на нем и величины магнитного поля. PACS: 72.25.-b, 73.40.-c, 75.47.-m

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 35, 21

Номера страниц: 33-41

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Волков Н.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Сибирский государственный аэрокосмический университет, Красноярск, Россия Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Korea Center for Materials Science, National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam)
  • Еремин Е.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Сибирский государственный аэрокосмический университет, Красноярск, Россия Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Korea Center for Materials Science, National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam)
  • Цикалов В.С. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Сибирский государственный аэрокосмический университет, Красноярск, Россия Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Korea Center for Materials Science, National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam)
  • Патрин Г.С. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Сибирский государственный аэрокосмический университет, Красноярск, Россия Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Korea Center for Materials Science, National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam)
  • Ким П.Д. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Сибирский государственный аэрокосмический университет, Красноярск, Россия Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Korea Center for Materials Science, National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.