ОЦЕНКА СТЕПЕНИ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПО КРИТИЧЕСКОМУ РАДИУСУ ДИСЛОКАЦИОННЫХ ПЕТЕЛЬ

Перевод названия: ASSESSMENT OF THE DEGREEOF DEFECT FORMATIONIN A SEMICONDUCTORSON THE CRITICALRADIUS OF THEDISLOCATION LOOPS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Ключевые слова: transmission electron microscopy, Dislocation loops, the critical radius of the dislocation loops, stacking fault energy, просвечивающая электронная микроскопия, дислокационные петли, критический радиус дислокационной петли, энергия дефекта упаковки

Аннотация: Проведена оценка критического радиуса дислокационных петель (ДП) в монокристаллах полупроводников CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si и Ge с учетом величины энергии дефекта упаковки (ЭДУ). Распределение ДП по размерам изучали с помощью просвечивающего электронного микроскопа.Экспериментальные результаты сравнивались с теоретическими расчетами критических радиусов перехода частичных дислокационных петель в полные с учетом энергии образования дислокационных петель и энергии дефекта упаковки материалов. Показано, что критический радиус зависит от энергии дефекта упаковки и является важной характеристикой при анализе процессов дефектообразования в полупроводниках. Чем больше критический радиус ДП, тем менее стоек полупроводник к дефектообразованию и в нем происходит больше структурных нарушений при идентичных режимах воздействия (обработки). При этом размеры и плотность структурных дефектов в материалах при аналогичных условиях обработки зависят от величины энергии дефекта упаковки.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Фундаментальные исследования

Выпуск журнала: 8-5

Номера страниц: 1071-1074

ISSN журнала: 18127339

Место издания: Пенза

Издатель: Общество с ограниченной ответственностью "Издательский Дом "Академия Естествознания"

Авторы

  • Логинов Ю.Ю. (ФГБОУ ВПО«Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева»)
  • Мозжерин А.В. (ФГБОУ ВПО«Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева»)
  • Брильков А.В. (ФГАОУ ВПО «Сибирский федеральный университет»)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.