КОНТРОЛЬ СВОБОДНЫХ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СЕНСОРОВ | Научно-инновационный портал СФУ

КОНТРОЛЬ СВОБОДНЫХ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СЕНСОРОВ

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Ключевые слова: контроль полупроводникового материала, электрохимическая обработка полу- проводников, пористый кремний, пористые кремниевые пленки, микроэлектронный химический сен- сор

Аннотация: Рассмотрены вопросы микроскопического контроля структуры пористых кремниевых пленок, отде- ленных от исходных монокристаллических подложек. Показано влияние технологии отделения пленок от подложек на их микроструктуру, целостность и прочность. Приводятся сведения о перспективности использования пористых слоев при изготовлении кремниевых микроэлектронных сенсоров

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Ползуновский вестник

Выпуск журнала: 3-1

Номера страниц: 140-143

ISSN журнала: 20728921

Место издания: Барнаул

Издатель: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова

Персоны

  • Назарова Е.М. (ФГАОУ ВПО «Сибирский федеральный университет»)
  • Юзова В.А. (ФГАОУ ВПО «Сибирский федеральный университет»)
  • Гаврилов В.В. (ФГАОУ ВПО «Сибирский федеральный университет»)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.