ИССЛЕДОВАНИЕ В ВЫСОКОВОЛЬТНОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ АТОМНЫХ И ВАКАНСИОННЫХ СКОПЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2В6 ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 400 КЭВ : доклад, тезисы доклада

Перевод названия: COMPUTER SIMULATION OF THE STRUCTURAL DEFECTS FORMATION IN CADMIUM TELLURIDE

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Решетневские чтения; Красноярск; Красноярск

Год издания: 2019

Ключевые слова: electron irradiation, semiconductors, high voltage electron microscopy, structural defects, облучение электронами, полупроводники, высоковольтная электронная микроскопия, структурные дефекты

Аннотация: Методами высоковольтной электронной микроскопии исследована кинетика образования атомных и вакансионных скоплений в полупроводниках А2В6 при облучении электронами с энергией 400 кэВ. Определены зависимости радиусов скоплений междоузельных атомов и вакансий в зависимости от времени облучения. Рассчитаны кинетические параметры, такие как, энергии активации процессов образования атомных и вакансионных скоплений при облучении электронами. Результаты необходимо учитывать при анализе срока активного существования полупроводниковых приборов в условиях космической и земной радиации.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Часть 1

Номера страниц: 563-564

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

Авторы

  • Логинов Ю. Ю. (Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Мозжерин А. В. (Сибирский федеральный университет)
  • Брильков А. В. (Сибирский федеральный университет)
  • Под редакцией Ю.Ю. Логинова

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.