Структурные, оптические и термоэлектрические свойства тонких ZnO:Al пленок, полученных атомно-слоевым осаждением : научное издание

Перевод названия: Structural, optical and thermoelectric properties of thin ZnO: Al films obtained by atomic layer deposition

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2019

Ключевые слова: atomic layer deposition, thin films, aluminum doped zinc oxide, structural and optical properties, thermoelectric properties

Аннотация: Тонкие пленки оксида цинка легированного алюминием были выращены с помощью атомно-слоевого осаждения при температуре 200oС. С помощью рентгеновской дифракции было обнаружено, что тонкие ZnO:Al пленки имеют пики от плоскостей (100), (002), (110) и (201) гексагональной фазы ZnO. Плоскости (101) и (102) были обнаружены также с помощью электронной дифракции. Тонкие ZnO:Al пленки растут гладкими со среднеквадратичной шероховатостью Rq равной 0.33  nm и характерными размерами нанокристаллита ~70 и ~15 nm без дополнительных фаз связанных с алюминием или оксидами алюминия. Пропускание на длине волны 550 nm с учетом подложки составляло ~96%. Были найдены коэффициенты преломления и поглощения тонких ZnO:Al пленок в диапазоне длин волн 250-900 nm. Максимальные значения для коэффициентов преломления и поглощения были 2.09 на длине волны 335 nm и 0.39 на длине волны 295 nm соответственно. Оптическая ширина запрещeнной зоны составляла 3.56 eV. Удельное сопротивление, коэффициент Зеебека и фактор мощности тонких ZnO:Al пленок составляли ~1.02·10-3 Ohm·cm, ~-60μV/K и 340 μW·m-1·K-2 при комнатной температуре соответственно. Максимальный фактор мощности достигал 620 μW·m-1·K-2 при температуре 200oC. Ключевые слова: атомно-слоевое осаждение, тонкие пленки, легированный алюминием оксид цинка, структурные и оптические свойства, термоэлектрические свойства.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 61, 10

Номера страниц: 1941-1947

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Авторы

  • Тамбасов И.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Волочаев М.Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Воронин А.С. (Красноярский научный центр, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Евсевская Н.П. (Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Масюгин А.Н. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева)
  • Александровский А.С. (Сибирский федеральный университет)
  • Смолярова Т.Е. (Сибирский федеральный университет)
  • Немцев И.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Лященко С.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Бондаренко Г.Н. (Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Тамбасова Е.В. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных

Информация о публикациях загружается с сайта службы поддержки публикационной активности СФУ. Сообщите, если заметили неточности.

Вы можете отметить интересные фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.